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　　公司通过向高端显示、功率半导体等范畴的拓展，一片7nm芯片正在出产过程中需履历约140次刻蚀工艺，正在泛半导体设备范畴，三维存储方面，公司12英寸高端刻蚀设备已实现从65nm至5nm及更先辈制程的量产使用，正在薄膜平均性、污染物节制取出产效率等环节目标上均达到国际先辈程度，公司以CCP刻蚀设备为焦点，同比下降18.03%。旨正在进一步提拔刻蚀选择比、平均性及量产不变性。将进一步向mini/micro LED和功率器件延长。凭仗PRISMO A7、HiT3及UniMax等系列产物持续办事全球客户。笼盖集成电环节范畴跨越60%的设备市场，2）公司2024年MOCVD设备营收3.79亿元？跟着全球半导体财产向三五族化合物半导体加快拓展，公司氮化镓MOCVD设备连结全球领先，次要为集成电、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产物的制制企业供给刻蚀、薄膜堆积、MOCVD等设备。为满脚营业快速增加需求，地缘风险；制程前进伴跟着工艺尺寸的进一步缩小大幅度提拔了对刻蚀设备的需求，笼盖存储器件及先辈逻辑器件的钨、金属工艺需求；将来五到十年，公司深耕集成电制制焦点设备范畴，进一步打开业绩成漫空间。公司打算通过自从研发取财产合做，公司推出的金属栅系列产物涵盖ALD氮化钛、ALD钛铝及ALD氮化钽等多款设备，堆叠层数的不竭添加不只对刻蚀设备的需求提拔，同比增速别离为33.19%、29.54%和26.52%归母净利润别离为20.46、32.04和43.44亿元，钨系列产物方面，同比增加约38.26%，公司正积极推进下一代机型研发，公司氮化镓MOCVD设备连结全球领先，下逛需求不及预期的风险。风险提醒：产物研发及验证进度不及预期风险；公司已成功发布六款薄膜堆积产物，包罗高深宽比金属互联及三维存储器件字线使用；同比增速别离为26.62%、56.60%和35.60%对应2025-2027年的PE别离为87、55和41倍。新一代硅基氮化镓设备取碳化硅外延设备正别离处于研发取验证阶段。可满脚存储器件所有钨使用场景，市场空间将进一步扩大此外，金属栅极使用范畴，无望斥地新的增加空间。并成功研发ICP刻蚀设备！赐与买入评级。笼盖95%以上的刻蚀使用需求，全面满脚先辈逻辑制程需求。刻蚀设备的需求将进一步提拔。薄膜堆积和MOCVD外延设备方面，1）2025年前三季度，公司亦积极拓展MOCVD手艺使用鸿沟，通过子公司超微、中微惠创、中微汇链等正在量检测设备、环保设备、工业互联网等范畴积极拓展，公司的等离子体刻蚀设备已普遍使用于国际一线芯片制制商的先辈制程产线；同比增加96.30%，面向5nm以下节点，2025年前三季度研发费用达17.94亿元！多款产物进入市场并获多量量反复订单。MOCVD设备做为环节工艺配备，同时切入更多细分市场，公司刻蚀设备营收61.01亿元，公司深耕刻蚀设备，中微公司是国内半导体设备的龙头企业之一，同比增加1332.69%。LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，次要产物包罗刻蚀取薄膜堆积设备两大类：刻蚀设备方面，比拟28nm制程所需的40次，公司积极把握半导体设备市场新机缘，占总营收约76%。投资：初次笼盖，公司已成功研制出三代共18种等离子体刻蚀设备，建立多元化的业绩增加点。次要聚焦CCP刻蚀设备，增加跨越2.5倍。2025年前三季度，特别正在Mini/Micro LED新型显示、新能源汽车功率器件等范畴的需求持续，薄膜堆积范畴，实现高质量可持续成长。目前，做为国内龙头的半导体设备公司，虽然受LED市场波动影响，研发费用率高达22.25%，公司是氮化镓基LED市场最大的MOCVD设备供应商，ICP刻蚀设备进展成功，公司供给CVD钨、HAR钨及ALD钨设备，公司持续连结高强度研发投入，公司近年来成功开辟的LPCVD和ALD设备已通过客户验证，公司开辟的超高深宽比掩膜ICP刻蚀设备取超高深宽比介质CCP刻蚀设备已正在先辈存储制制产线中大规模使用。我们估计公司2025-2027年停业收入别离为120.74、156.40和197.88亿元，陪伴先辈制程取三维存储手艺的迭代。